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无锡墨芯半导体有限公司申请专利，旨在提高FLASH的编程效率，有效缩短总线...无锡墨芯半导体有限公司申请专利，名称为"一种提高FLASH编程效率的方法"，公开号CN118747067A，申请日期为2024年6月。 专利摘要表明，本发明提供了一种提高FLASH程序效率的方法，涉及计算机技术领域。该方法支持流水线编程和命令编程两种模式；通过转换总...

...湖亮微电子获得多分辨率模式的模数转换方法和电路专利，大幅降低Flash...财经世界2024年8月22日消息，天眼链知识产权信息显示，湖南湖亮微电子有限公司获得了名为"多分辨率"的项目< b>模数转换方法及电路》，授权公告号CN118316451B，申请日期为2024年6月。 专利摘要显示，该应用涉及多分辨率模式模数转换方法和电路，其使用FlashSAR...

兆易创新：Fabless轻资产商业模式将有助于2023年串行NOR闪存的改进...这有什么特殊优势？为什么其他大型相关公司都采用IDM模式？例如华邦电子、旺旺宏以及南亚等等。 另外，公司不自建晶圆厂的考虑是什么？当遇到晶圆短缺时，公司能否保证按时供货？公司回应：公司是全球第一的无晶圆厂闪存供应商，在NOR...

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Microchip推出FlashtecNVMe5016主控，顺序读取突破14GB/sIT之家新闻8月7日，Microchip于当地时间本月5日宣布推出新一代FlashtecNVMe5016数据中心级固态硬盘主控。 该控制器支持PCIe5.0，并且可以配置为单lex4端口或双x2端口模式。 FlashtecNVMe5016配备16个独立闪存通道，兼容从SLC到QLC的各种NAND闪存，最高支持3200MT...

芯天侠获得用于检测闪存存储错误的方法、电路、存储介质和终端的专利...芯世科技有限公司获得一项名为"用于检测闪存存储错误的方法、电路、存储介质和终端"的专利，授权公告号CN112542199B，申请日期为2020年12月。 专利摘要表明，本发明公开了一种检测闪存存储错误的方法、电路、存储介质和终端。在CP测试模式下使用特殊的配置信号，使得被测闪存能够...

新天下申请了一种Flash良率提升方法专利，具体公开了一种Flash良率提升方法、编程方法及相关设备。其中，Flash良率提升方法包括以下步骤：在晶圆测试阶段，对芯片进行完全编程，得到异常页面；根据异常页面建立缺陷页面表，因此，NANDFlash在执行编程操作时会跳过坏页表中的异常页进行编程；在晶圆测试阶段的测试模式下，基于...

广汽集团申请了动态更新Flash布局的OTA升级方法专利，包括以下步骤：进入OTA升级模式后，获取Flash中用于升级的系统分区，并且用于升级的系统分区至少设置有IPL引导区：从OTA升级包中获取地址管理文件，并刷新到IPL引导区；获取代码区对应的最新存储地址信息数据区根据地址管理文件中各软件代码镜像的存储地址信息； 来自...

江波龙：首款自研32Gb2DMLCNANDFlash发布。南方财经1月31日报道，根据江波龙官方微信账号，江波龙首款自研32Gb2DMLCNANDFlash已于近日发布。 该产品采用BGA132封装，支持ToggleDDR模式，数据访问带宽高达400MB/s，预计应用于eMMC、SSD等产品。

32Gb，400MB/s带宽！江波龙首款自研2DMLCNANDFlash闪存发布。快科技2月2日讯，近日，继自研SLCNANDFlash系列产品规模量产后，江波龙首款自研32Gb2DMLCNANDFlash正式发布。 该产品采用BGA132封装，支持ToggleDDR模式，数据访问带宽高达400MB/s，预计应用于eMMC、SSD等产品。 江波龙表示，近年来投入内存芯片自主研发...

江波龙自研芯片新进展：NANDFlash技术进入2xnm新时代。江波龙首款2xnmSLCNANDFlash自研芯片产品闪亮登场，再次体现了江波龙技术创新的崛起；汽车电子、消费电子、智能穿戴、AI服务器四大主流市场的存储解决方案同台亮相，展现了江波龙自研芯片的强大实力。sys的产品强度在不同的应用中。 2xnmSLCNANDFlash采用2xnm先进工艺技术，支持DTR模式，不仅...