超快恢复二极管联系方式

星海电子获得快速恢复二极管芯片及其制造方法专利，降低正向工作电压。据金融界消息，2024年5月6日，国家知识产权局公告，常州星海电子有限公司获得一项名为" 《一种快恢复二极管芯片及其制造方法》，授权公告号CN113054037B，申请日期为2019年12月，专利摘要显示，本发明涉及芯片制造领域，具体公开了一种快恢复二极管芯片，包括芯片本体、以及芯片...

据国家知识产权局消息，宏碁微科技申请了快速恢复二极管器件及其制造方法专利，可降低快速恢复...金融业20244新闻3月10日消息，国家知识产权局消息 公告，江苏宏伟科技股份有限公司申请了"快恢复二极管器件及其制造方法"项目，公开号CN117855290A，申请日期为2023年12月。 专利摘要表明，本发明提供了一种快速恢复二极管器件，包括：阴极金属层；N型外延层，N型外延层位于阴极金属层上……

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威尔半导体有限公司申请了快速恢复二极管专利，以提高二极管的快速恢复能力。据金融界消息，2024年3月12日，根据国家知识产权局公告，上海威尔半导体有限公司申请了一项名为"a 《快恢复二极管和快恢复二极管的制备工艺》，公开号CN117690782A，申请日期为2022年9月，专利摘要表明，本申请实施例提供了快恢复二极管和快恢复二极管的制备工艺，通过使用...

<上海超半导体申请了一种超级结开关器件专利，以改善体二极管的反向恢复特性。第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅极绝缘层和栅极电极构成寄生金属氧化物半导体场 场效应晶体管；辅助沟道区的掺杂浓度用于调节寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。 本发明实施例的技术方案有效提高了体二极管的反向恢复特性，且不影响器件的反向阻断特性。

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...电源专利避免了由于反向恢复而导致自举二极管故障和性能下降的风险。第一开关管的第一端连接到第一电容器的第二端，第一开关管的第三端 两端通过限流电路连接至桥式驱动电路的功率端，当第一开关管导通时，功率端通过限流电路和第一开关管对第一电容进行充电，限流电路用于限制流向第一电容的流量。 充电电流。 通过以上设置，避免了自举二极管因反向恢复而失效的风险...

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同科电子申请了一种测试二极管电特性的方法专利，以改善二极管的电特性...东莞市同科电子有限公司申请了一项名为"一种测试二极管电特性的方法"的专利，公开号CN 118707286A，申请日期为2024年8月。 专利摘要表明，本发明涉及电学数据处理技术领域，具体涉及一种二极管电学特性的测试方法，包括：对快速恢复二极管在不同变量下进行多次测试，获取多个测试样本...

工作与娱乐的完美结合，三星ViewFinityS9魅力尽显有机发光二极管(OLED)显示屏，或微型LED显示屏不断提升屏幕分辨率、色彩还原、细节表现力，让消费者体验更真实的图像……传统的校准方法（手动）耗时耗力。 SamsungViewFinityS9可与智能手机一起使用（适用于GalaxyS10/Note10或更高版本、GalaxyFold设备、GalaxyFlip设备...