最常见的金属晶体结构有哪三种

广力微申请一种晶体管阵列的漏电测试结构、其生成方法及存储介质...本申请涉及一种晶体管阵列的漏电测试结构、其生成方法及存储介质，其中方法包括：获取晶体管阵列；晶体管阵列中的每一排，铺设三根水平金属线，三根水平金属线分别连接到晶体管阵列的栅极、源极和漏极。将同一行的晶体管穿过连接孔；将相邻中心行的晶体管连接在一起，同一电极的水平金属线穿过垂直...

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...结构及其形成方法专利，可实现多金属线的横向延伸，并电连接多个晶体管。台积电已取得"集成电路结构及其形成方法"专利，授权公告号CN113451303B，申请日期为2021年2月。 专利摘要显示，该IC结构包括：位于衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；以及位于晶体管上方的第一金属化层和第二金属化层。 第一金属...

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台积电获得提供包含纳米结构晶体管的介电区域的半导体装置专利...提供具有包含纳米结构晶体管的介电区域的半导体装置。 电介质区域可以对应于气隙，可以位于沿着金属栅极结构的侧壁的电介质间隔层之间。 用于形成介电区域的技术可包括在纳米结构晶体管的制造期间在介电隔离层之间使用临时隔离层。 临时间隔层可以包括硅锗材料、硅锗材料...

台积电获得存储器件及制造方法专利，可将金属互连结构嵌入电介质中...金融界消息，据国家知识产权局台积电股份有限公司公告，2024年3月13日 一项名为"存储器件及其制造方法"，授权公告号CN113540099B，申请日期为2021年6月。 专利摘要显示，该存储器件包括：位于基板顶面的嵌入介电材料层的金属互连结构；嵌入...的薄膜晶体管。

北京大学申请了一种存储器结构及其集成方法专利。该存储器结构无串扰...北京大学申请了一项专利，名称为"一种存储器结构及其集成方法"，公开号CN117878140A，申请日期为2024年1月。 专利摘要表明，本发明提供了一种存储器结构及其集成方法，属于半导体技术领域。 该存储器结构位于半导体衬底上，从下到上包括晶体管层、中间金属互连层、放大电容层和...

高通公司获得了一项差分放大器专利，以利用CMOS结构实现差分放大器。高通公司获得了一项名为"具有互补单元结构的差分放大器"的专利，授权公告号为CN111527694B，申请日期为2018年12月。 专利摘要表明，本公开的某些方面通常与使用互补金属氧化物半导体（CMOS）结构实现的差分放大器有关。 差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管...

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石墨矿发现于中国黑龙江，价值达1000亿，矿物量2337.61万吨。石墨是天然非金属矿物，具有良好的导电性、导热性和润滑性。 它是由六角形碳原子层堆叠而成的层状晶体。 石墨矿广泛存在于地壳中，是一种重要的工业原料。 石墨矿石的主要成分是碳，通常含碳量在90%以上。 除碳外，石墨矿石还含有少量杂质，如硅、铝、...

京东方获得发明专利授权：《阵列基板、显示装置及制备方法》阵列基板包括基底基板和设置在基底基板上的像素阵列结构，其中像素阵列结构包括源极金属层图案，源极金属层图案包括薄膜晶体管的源极和漏极电极以及数据线；源极金属层图案的表面至少远离基底基板部分设有遮光材料。 阵列基板可以防止显示设备漏光...